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MJD44H11T4G TO-252 DPAK BJT NPN 8A 80V 20W SMD transistor bipolaire Original instock Dispositif discret MJD44H11

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0,1641-0,2733 €
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Emballage personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)

Caractéristiques

Référence fabricant

MJD44H11T4G

Type

Transistor bipolaire

Marque nom

Original

Type de paquet

Montage en Surface

Description

BJT NPN 8A 80V

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MJD44H11T4G
Type
Transistor bipolaire
Marque nom
Original
Type de paquet
Montage en Surface
Description
BJT NPN 8A 80V
Point d'origine
Original
Package/Boîte
TO-252/DPAK
Température de fonctionnement
-55℃~+150℃
Collecteur de courant (Ic) (Max)
8A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
80V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
1V
Courant-coupure de collecteur (Max)
1uA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 à 4A, 1V
Puissance Max
1,75 W
Fréquence-Transition
85MHz
Transistor Type
NPN

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique

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