Transistor BJT MMBT5401 MMBT5401PBF | Puce de signalisation SMD à jonction bipolaire PNP | MMBT5401
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Shenzhen Chuangheying Electronic Technology Co., Ltd.
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Attributs
Transistor BJTType
/Application
Montage en SurfaceType de paquet
Montage en SurfaceType de Support
/FET Caractéristique
NormeConfiguration
Numéro de Type:MMBT5401
Marque nom:Original
Description:Puce de signal SMD à jonction bipolaire PNP
Point d'origine:Original
Package/Boîte:Tout-23
Température de fonctionnement:-55℃~+150℃
Série:MMBT5401
d/c:/
Médias Disponibles:/
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max):/
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:/
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:/
Résistance-socle (R1):/
Résistance-socle émetteur (R2):/
Vidange à la tension de la Source (Vdss):/
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:/
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:/
Vgs (th) (Max) @ Id:/
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:/
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:/
Fréquence:/
Courant nominal (ampères):/
Facteur de bruit:/
Alimentation-Sortie:/
Tension Nominale:/
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):/
Vgs (Max):/
Type IGBT:/
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:/
Entrée:/
Thermistance NTC:/
Tension-panne (V (BR) GSS):/
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):/
Vidange de courant (Id)-Max:/
Tension-coupure (VGS off) @ Id:/
Résistance-RDS (On):/
Tension-Sortie:/
Tension-décalage (Vt):/
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):/
Courant-vallée (Iv):/
Courant-Crête:/
Transistor Type:Transistor BJT
Type de montage:Montage en Surface
Caractéristiques du produit
Type
Transistor BJT
Application
/
Type de paquet
Montage en Surface
Type de Support
Montage en Surface
FET Caractéristique
/
Configuration
Norme
Médias Disponibles
/
Package/Boîte
Tout-23
Description
Puce de signal SMD à jonction bipolaire PNP
Numéro de Type
MMBT5401
Marque nom
Original
Point d'origine
Original
Température de fonctionnement
-55℃~+150℃
Série
MMBT5401
d/c
/
Panne d'émetteur de collecteur de tension (Max)
/
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
/
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
/
Résistance-socle (R1)
/
Résistance-socle émetteur (R2)
/
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
/
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
/
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
/
Vgs (th) (Max) @ Id
/
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
/
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
/
Fréquence
/
Courant nominal (ampères)
/
Facteur de bruit
/
Alimentation-Sortie
/
Tension Nominale
/
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
/
Vgs (Max)
/
Type IGBT
/
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
/
Entrée
/
Thermistance NTC
/
Tension-panne (V (BR) GSS)
/
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
Vidange de courant (Id)-Max
/
Tension-coupure (VGS off) @ Id
/
Résistance-RDS (On)
/
Tension-Sortie
/
Tension-décalage (Vt)
/
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
/
Courant-vallée (Iv)
/
Courant-Crête
/
Transistor Type
Transistor BJT
Type de montage
Montage en Surface
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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Ce produit a acquis la (les) qualification(s) de produit/licence (s) pertinente (s) de certains pays applicables.Voir plus
Quantité minimale : 1 pièce
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MMBT5401
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