MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V TO-263-7 S3M0040120J Authorized Distributor Transistors Electronics Components Online
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Attributs
Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
S3M0040120JNuméro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
TO-263-7Package / Case
Description:MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Caractéristiques du produit
Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
S3M0040120J
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
TO-263-7
Description
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg
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