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Transistor MOSFET TO-3 59N30 FDA59N30 Fabricant d'origine chinois

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0,2876 €
1-599 pièce
0,1743 €
600-1 499 pièce
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FDA59N30
Type
Transistor
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China
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Type de Fournisseur
Fabricant original
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Fiche de données de référence
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Fiche de données de référence
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Fiche de données de référence
Résistance-socle (R1)
Fiche de données de référence
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Fiche de données de référence
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Fiche de données de référence
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Fiche de données de référence
Vgs (th) (Max) @ Id
Fiche de données de référence
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Fiche de données de référence
Fréquence
Fiche de données de référence
Courant nominal (ampères)
Fiche de données de référence
Facteur de bruit
Fiche de données de référence
Alimentation-Sortie
Fiche de données de référence
Tension Nominale
Fiche de données de référence
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Fiche de données de référence
Vgs (Max)
Fiche de données de référence
Type IGBT
Fiche de données de référence
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Fiche de données de référence
Entrée
Fiche de données de référence
Tension-panne (V (BR) GSS)
Fiche de données de référence
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Fiche de données de référence
Vidange de courant (Id)-Max
Fiche de données de référence
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Fiche de données de référence
Résistance-RDS (On)
Fiche de données de référence
Tension-Sortie
Fiche de données de référence
Tension-décalage (Vt)
Fiche de données de référence
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Fiche de données de référence
Courant-vallée (Iv)
Fiche de données de référence
Courant-Crête
Fiche de données de référence

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
0.0 kg

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