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Composants électroniques MR25H256APDFR 8 VDFN à contacts apparents, mémoire, acheter en ligne, BOM, CI en stock

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Attributs

Composant et pièceType
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré de puces ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
40 MHz
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
4 000 - 6 999 pièce
3,02 €
>= 7 000 pièce
1,51 €

Spécification

M.25H256APDFR

Expédition

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