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Module de transistors MSCSM170HRM451AG, composants électroniques, canal fabricant

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Référence fabricant

MSCSM170HRM451AG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 64A

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MSCSM170HRM451AG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 1700V/1200V 64A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
319W (Tc), 395W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
64A (Tc), 89A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
45 mΩ à 30 A, 20 V, 31 mΩ à 40 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,2 V à 2,5 mA, 2,8 V à 3 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC à 20 V, 232 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3300pF à 1000V, 3020pF à 1000V
Configuration
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (onduleur à trois niveaux)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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