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MT29F2G08ABAEAWP:E 2Gb SLC Parallel NAND Flash 20ns 3.3V Industriel 48-TSOP-I Circuit Intégré de Mémoire Embarquée

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Code de date de fabrication

Caractéristiques

Marque nom

original

Référence fabricant

MT29F2G08ABAEAWP:E

Type

Flash Memory IC

Point d'origine

Guangdong, China

Description

2Gb industrial-grade SLC parallel NAND flash memory

Type de conditionnement

SMD

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Caractéristiques du produit

Marque nom
original
Référence fabricant
MT29F2G08ABAEAWP:E
Type
Flash Memory IC
Point d'origine
Guangdong, China
Description
2Gb industrial-grade SLC parallel NAND flash memory
Type de conditionnement
SMD
Package/Boîte
TSOPI-48
Type de mémoire
other
Interface de mémoire
other
Technologie
other
Type d'expansion
other
Organisation de la mémoire
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