Composants électroniques de mémoire MT62F2G64D8CL-023 WT:B, fabricant de puces, canal
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Attributs
SDRAM - LPDDR5 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
2G à 64Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Boîte
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,05 V
Fréquence de l'horloge:4,266 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2G à 64
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Fréquence de l'horloge
4,266 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
128 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,05 V
Type de conditionnement
Boîte
Interface mémoire
Parallèle
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vente Unités
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MT62F2G64D8CL 023 poids : B
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