Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DIMM - DDR3
Tension D'alimentation:1,425 V ~ 1,575 V
Fréquence de l'horloge:1,066 GHz
Organisation de la mémoire:128Mx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
