Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR), Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:2 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:90 secondes
Interface mémoire:Parallèle
