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G3F33MT06J-TR

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC 650 V 27 MΩ TO-263-7 G3F

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
G3F33MT06J-TR
Marque nom
Original
Description
MOSFET SiC 650 V 27 MΩ TO-263-7 G3F
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
80A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
38 mOhms à 26 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,3 V à 12 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2394 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V, 18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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