Composants de canal électronique du fabricant GD25LT256EY2GY 8 WDFN Mémoire à contact apparent
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Attributs
FLASH - NON (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
32Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:140 µs, 2 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
32Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
140 µs, 2 ms
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 800 - 7 799 pièce
2,08 €
≥ 7 800 pièce
1,04 €
Options
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GD25LT256EY2G
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