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Composants électroniques de circuit du fabricant Channel, transistors DMTH6016LPDQ-13 8-PowerTDFN

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100-3 099 pièce
0,5188 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

DMTH6016LPDQ-13

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerTDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMTH6016LPDQ-13
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerTDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
2,5 W (Ta), 37,5 W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
19 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
864pF à 30V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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