Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1 million x 8, 512 000 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:80 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
