Composant électronique de canal de fabrication DS1258AB-100 40 Module DIP Mémoire
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Attributs
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Composants électroniques ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Kx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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21,18 €
>= 3 009 pièce
10,60 €
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DS1258AB100
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Composant électronique de canal de fabrication DS1258AB-100 40 Module DIP Mémoire












