Composant électronique de canal de fabrication DS1258AB-100 40 Module DIP Mémoire
Note de la boutique :4.6
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Attributs
NVSRAM (SRAM non volatile)Technologie
Non volatileType de mémoire
128Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128Kx16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Tension D'alimentation
4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
9 - 3 008 pièce
21,00 €
>= 3 009 pièce
10,51 €
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DS1258AB100
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