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Composant électronique de canal du fabricant MR25H256CDCR 8 TDFN Mémoire à contacts apparents

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
32 000 x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Fréquence de l'horloge
40 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
256 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3 999 pièce
4,03 €
>= 4 000 pièce
2,74 €

Spécification

M.25H256CDCR

Expédition

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