





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
BoîteType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR4
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Organisation de la mémoire:1Gx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD













