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Manufacturer Channel Electronics Component TH58BVG2S3HBAI4 Memory 63 VFBGA

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Code de date de fabrication

NEW

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

TH58BVG2S3HBAI4

Type de montage

Surface Mount

Taille de La mémoire

4Gbit

Point d'origine

China

Description

IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
TH58BVG2S3HBAI4
Type de montage
Surface Mount
Taille de La mémoire
4Gbit
Point d'origine
China
Description
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
Type de conditionnement
Tray
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
63-VFBGA
Série
Benand
Type de mémoire
Non-Volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
2.7V ~ 3.6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
25ns
Memory Interface
-
Memory Format
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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