Composant électronique de canal de fabrication W971GG8NB-18 60 VFBGA Mémoire
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
128 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:SSTL18

5Chips Tech Limited
HK1 an sur Alibaba.com
5/5.0(1 commentaires)Taux de réachat: 16%Temps de réponse ≤ 4hTaux de livraison dans les délais ≥ 93%
Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Fréquence de l'horloge
533 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Gbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
SSTL18
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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