Composants électroniques de circuit mémoire canal fabricant 44 BSOJ AS7C1026B-15JCN
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
64Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Kx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Mbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Tuyau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
64 - 3 063 pièce
1,75 €
>= 3 064 pièce
0,8735 €
Options
SélectionnerSpécification
AS7C1026B15JCN
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