Composants électroniques : Mémoire de canal de fabrication 8 UDFN à contacts apparents AT25QL641-MHE-T – Achetez en ligne
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:8M à 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:150 µs, 5 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
64 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
8M à 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
150 µs, 5 ms
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 5999 pièce
1,53 €
>= 6000 pièce
0,4783 €
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