Composant électronique Mémoire de canal du fabricant 8 UFDFN à contacts apparents MX25V1635FZUJ
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Attributs
FLASH - NON (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
4M x 4, 8M x 2, 16M x 1Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:80 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 µs, 3,6 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
4M x 4, 8M x 2, 16M x 1
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
80 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 µs, 3,6 ms
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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Composant électronique Mémoire de canal du fabricant 8 UFDFN à contacts apparents MX25V1635FZUJ











