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Manufacturer Channel Transistors PG-TO247-3-41 IMW65R027M1HXKSA1 Buy Electronics Components Online

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5Chips Tech Limited
1 an
HK

Attributs

IMW65R027M1HXKSA1Numéro de Type
À travers le trouType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
PG-TO247-3-41Package / Case
Description:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Package:Tube
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
IMW65R027M1HXKSA1
Type de montage
À travers le trou
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO247-3-41
Description
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Package
Tube
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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100 - 3099 pièce
13,19 €
>= 3100 pièce
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