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Transistors à canal manufacturés TO-92-3 TN0610N3-G-P003 Composant électronique

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Caractéristiques

Référence fabricant

TN0610N3-G-P003

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-92-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TN0610N3-G-P003
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-92-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
500mA (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,5 ohms à 750 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
3V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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