Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:2Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:20 secondes
Interface mémoire:ONFI
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
