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Composants électroniques Memory 119 BGA 71T75802S200BGG - Distributeur agréé

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

71T75802S200BGG

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

18Mbit

Point d'origine

China

Description

CI SRAM 18Mbit parallèle 119 PBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
71T75802S200BGG
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
18Mbit
Point d'origine
China
Description
CI SRAM 18Mbit parallèle 119 PBGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Package/Boîte
119-BGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Tension D'alimentation
2.375V ~ 2.625V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
1M x 18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
SRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
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