





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
32 Go (NAND), 16 Gbit (DRAM LPDDR4)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND, mémoire vive - LPDDR
Tension D'alimentation:1,8 V, 3,3 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:eMMC 5.1 HS400+LPDDR4X














