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Composants électroniques CI mémoire 165 LBGA CY7C11501KV18-400BZXC en stock

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

CY7C11501KV18-400BZXC

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

18Mbit

Point d'origine

China

Description

CI SRAM 18Mbit parallèle 165FBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
CY7C11501KV18-400BZXC
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
18Mbit
Point d'origine
China
Description
CI SRAM 18Mbit parallèle 165FBGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Package/Boîte
165-LBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II+
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Organisation de la mémoire
512K x 36
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
SRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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