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Composant électronique mémoire 200 WFBGA AS4C256M16MD4V-062BAN BOM IC en stock

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10,36 €
1 - 3 000 pièce
5,19 €
≥ 3 001 pièce

Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

AS4C256M16MD4V-062BAN

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

2Gbit

Point d'origine

China

Description

IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA

Expédition

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Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR4X
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128M x 16
Type de montage
Montage en surface
Référence fabricant
AS4C256M16MD4V-062BAN
Marque nom
Original
Taille de La mémoire
2Gbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TC)
Package/Boîte
200-WFBGA
Série
-
Tension D'alimentation
1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
18ns
Interface mémoire
LVSTL
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs