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Composant électronique Mémoire 24 TBGA EM032LXOAB320CS1T Fabricant de composants électroniques Canal

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Attributs

MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
4Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - E/S octales

Caractéristiques du produit

Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
4Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - E/S octales

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
960 - 3 959 pièce
11,36 €
>= 3 960 pièce
5,69 €

Spécification

EM032LXOAB320CS1T : 1 unité

Expédition

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