Mémoire 24 TBGA MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR Acheter en ligne Composants électroniques d'origine
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
2Gx1Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:83 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI
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MT29F2G01ABAGD12 AA : G TR
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