Mémoire 24 VBGA S80KS2563GABHA023 Acheter des composants électroniques en ligne Service original à guichet unique
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Attributs
PSRAM (Pseudo-SRAM)Technologie
volatileType de mémoire
32Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:SPI - E/S octales
Caractéristiques du produit
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32Mx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant de puces électroniques
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
256 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
SPI - E/S octales
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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S80KS2563GABHA023
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