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Module de mémoire 28 DIP DS1225AB-70+ Composants électroniques à puce d'origine Service complet

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
64 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
8K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3000 pièce
12,07 €
>= 3001 pièce
6,04 €

Expédition

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