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Module de mémoire 28 DIP DS1230Y-200IND+ Composant électronique En stock

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Attributs

DS1230Y-200IND+Numéro de Type
À travers le trouType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
MémoireApplication fonctionnelle
Module DIP 28 (0,600", 15,24 mm)Emballage
Série:Mémoire
Décrire:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Interface mémoire:Parallèle
Fréquence d'horloge:-
Temps d'accès:200 nanosecondes

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
DS1230Y-200IND+
Type de montage
À travers le trou
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Mémoire
Emballage
Module DIP 28 (0,600", 15,24 mm)
Série
Mémoire
Décrire
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Organisation de la mémoire
32 000 x 8
Interface mémoire
Parallèle
Fréquence d'horloge
-
Temps d'accès
200 nanosecondes

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

1 - 3000 pièce
17,55 €
>= 3001 pièce
8,78 €

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