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Module de mémoire 32 DIP DS1245Y-120IND+ Composants de circuits électroniques Fabricant de composants électroniques

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Attributs

DS1245Y-120IND+Numéro de Type
À travers le trouType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
MémoireApplication fonctionnelle
Module DIP 32 (0,600", 15,24 mm)Emballage
Série:Mémoire
Décrire:IC NVSRAM 1MBIT PARALLÈLE 32EDIP
Organisation de la mémoire:128Kx8
Interface mémoire:Parallèle
Fréquence d'horloge:-
Temps d'accès:120 nanosecondes
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
DS1245Y-120IND+
Type de montage
À travers le trou
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Mémoire
Emballage
Module DIP 32 (0,600", 15,24 mm)
Série
Mémoire
Décrire
IC NVSRAM 1MBIT PARALLÈLE 32EDIP
Organisation de la mémoire
128Kx8
Interface mémoire
Parallèle
Fréquence d'horloge
-
Temps d'accès
120 nanosecondes

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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1 - 3000 pièce
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>= 3001 pièce
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