





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 Gbits (NAND), 16 Gbits (DRAM LPDDR4)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:-
Technologie:-
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:eMMC 5.1 HS400+LPDDR4X














