Module de mémoire 40 DIP DS1258W-100IND # Fabricant de composants de circuits électroniques Canal
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Attributs
À travers le trouType de montage
MémoireApplication fonctionnelle
DS1258W-100IND#Numéro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
Module 40 DIP (0,610", 15,495 mm)Emballage
Série:Mémoire
Décrire:IC NVSRAM 2MBIT PARALLÈLE 40EDIP
Organisation de la mémoire:128Kx16
Interface mémoire:Parallèle
Fréquence d'horloge:-
Temps d'accès:100 nanosecondes
Caractéristiques du produit
Type de montage
À travers le trou
Application fonctionnelle
Mémoire
Numéro de Type
DS1258W-100IND#
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Emballage
Module 40 DIP (0,610", 15,495 mm)
Série
Mémoire
Décrire
IC NVSRAM 2MBIT PARALLÈLE 40EDIP
Organisation de la mémoire
128Kx16
Interface mémoire
Parallèle
Fréquence d'horloge
-
Temps d'accès
100 nanosecondes
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
9 - 3 008 pièce
22,25 €
>= 3 009 pièce
11,13 €
Options
SélectionnerSpécification
DS1258W 100 pièces #
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