Mémoire 44 TSOP R1LV0808ASB-5SI # Composants de circuits électroniques B0 en stock
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Attributs
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré de composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4683 €
>= 3 100 pièce
0,2342 €
Options
SélectionnerSpécification
R1LV0808ASB5SI # B00
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