Composants électroniques originaux TR : Mémoire 60 FBGA MT46V64M4FG-75E:G – Service complet
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Attributs
SDRAM-DDDRTechnologie
volatileType de mémoire
64Mx4Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64Mx4
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
256 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
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