





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128M x 8, 64M x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle














