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Mémoire 67 VFBGA TH58BYG3S0HBAI6 Acheter des composants électroniques en ligne Distributeur agréé

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

TH58BYG3S0HBAI6

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

8Gbit

Point d'origine

China

Description

IC FLASH 8GBIT 67VFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
TH58BYG3S0HBAI6
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
8Gbit
Point d'origine
China
Description
IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
67-VFBGA
Série
Benand
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
1G x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
25ns
Interface mémoire
-
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
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seul paquet taille
1X1X1 cm
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