Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1,125 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Double port, synchrone
Tension D'alimentation:3,15 V ~ 3,45 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:64Kx18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
