Composants électroniques en stock, achat en ligne, mémoire 78 TFBGA MT40A1G8SA-062E AIT:E TR, BOM IC
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Attributs
SDRAM-DDDR4Technologie
volatileType de mémoire
1Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR4
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
1Gx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
8 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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MT40A1G8SA 062E AIT : ET
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