





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:Éclair
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:66 MHz
Organisation de la mémoire:264 octets x 4096 pages
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:4 mètres
Interface mémoire:PI














