Composants électroniques originaux Memory 8 SOlC BY25Q40BSSIG(R)
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Attributs
FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
512Kx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:50 µs, 2,4 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512Kx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
50 µs, 2,4 ms
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 000 - 6 999 pièce
0,0639 €
>= 7 000 pièce
0,0341 €
Options
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PAR25Q40BSSIG(R)
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