Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:50 µs, 4 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S
