





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:1M4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-














