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Composants électroniques de circuit mémoire 8 SOlC MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 en stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:50 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
2 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
50 MHz
Organisation de la mémoire
256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
425 - 3424 pièce
2,30 €
>= 3425 pièce
1,15 €

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

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