Composants électroniques de mémoire 8 UFDFN à contacts apparents CAT25160HU2I-GT3, canal fabricant
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5Chips Tech Limited
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Attributs
EEPROMTechnologie
Non volatileType de mémoire
2K par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), en vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:10 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:PI
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2K par 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Fréquence de l'horloge
10 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 Ko
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
5 mètres
Tension D'alimentation
1,8 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), en vrac
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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CAT25160HU2I GT3
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Composants électroniques de mémoire 8 UFDFN à contacts apparents CAT25160HU2I-GT3, canal fabricant












