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Mémoire 8 VDFN à contacts apparents MR25H128AMDFR – Acheter en ligne – Composants électroniques – BOM – CI – En stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Organisation de la mémoire:16Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
128 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
40 MHz
Organisation de la mémoire
16Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
4000 - 6999 pièce
3,27 €
>= 7000 pièce
1,64 €

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

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