





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:40 MHz
Organisation de la mémoire:16Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI













